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长鑫存储:收获大量原奇梦达内存专利

作者:上方文Q 长鑫存储技术有限公司与加拿大公司 Quarterhill Inc. 旗下的 Wi-LAN Inc. 今日联合宣布,就原内存制造商奇梦达开发的 DRAM 内存专利,长鑫存储与 WiLAN 全资子公司 Polaris Innovations Limited 达成专利许可协议和专利采购协议
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长鑫存储再建2座晶圆厂!

12 月 3 日消息根据 AnandTech 的报道,长鑫存储科技有限公司已经开始使用 19 纳米制造技术生产 DDR4 内存。目前,该公司已经制定了至少两个 10 纳米级制造工艺的路线图,并计划在未来生产所有类型的 DRAM。不仅如此,长鑫存储还计划再建两个晶圆厂来提高产量。 长鑫存储表示,其 7
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首颗国产DRAM芯片的技术与专利,合肥长鑫存储的全面深度剖析

存储芯片已经成为全球珍贵的战略资源,国内从过去完全缺席的困境,经历三年焚膏继晷的研发,已陆续在 3D NAND 和 DRAM 上打破国际垄断。 论垄断势力,DRAM 产业尤为严重。相较于 3D NAND 在国际间仍有六大供应商可以选择,DRAM 产业却被三星、SK 海力士、美光三大供应商试图守得滴水
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合肥长鑫:已将国产内存工艺从46nm提升到10nm级

作者:宪瑞 在 9 月 19 日开幕的中国闪存技术峰会,合肥长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士发表了主题演讲,指出合肥长鑫已将奇梦达的 46nm 内存工艺技术水平提升到了 10nm 级别。 在这个名为《DRAM 技术趋势与行业应用》的演讲中,平尔萱博士谈到了内存技术的发展、应用以及面
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三星美光最害怕的事来了 国产8Gb DDR4内存年底量产

中国每年进口的集成电路超过 3000 亿美元,其中存储芯片占了大约1/3 的份额,但 DRAM 内存及 NAND 闪存目前尚无国产厂商染指,国产率基本为0,其中高价值的内存几乎垄断在三星、SK Hynix 及美光三家公司中。 Digitimes 报道称,合肥长鑫(ChangXin Memory Te

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