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罗姆完成第5代SiC MOSFET开发,高温导通电阻降低约30%
IT 之家 4 月 21 日消息,日本半导体制造商 ROHM(罗姆)今日宣布其在今年 3 月成功完成了第 5 代碳化硅 (SiC) MOSFET 的开发工作。相较上代,新产品通过器件结构改进和制造工艺优化在 175℃ 结温 (Tj) 下导通电阻降低约 30%。 罗姆表示,在各类电动汽车 (xEV)

























