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俄罗斯公布国产EUV光刻设备长期路线图,目标2037年实现亚10nm制程
据 tom's HARDWARE 报道,俄罗斯科学院微结构物理研究所近日公布了最新的国产极紫外(EUV)光刻设备路线图,规划时间跨度从 2026 年至 2037 年,目标是逐步替代 DUV 技术并实现亚 10nm 制程。 根据路线图,研发分为三个阶段: 2026–2028 年:推出首台支持 40nm
























